专利详情

专利名称	正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法
申请号	CN201110439851.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103178131A	公开（授权）日	2013.06.26
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	常少辉;黄维;刘学超;杨建华;施尔畏
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/08(2006.01)I
专利有效期	正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法至正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于半导体器件领域，涉及一种正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法。本发明所述正对电极结构包括半绝缘SiC晶片、空心电极柱、半透明或透明电极层以及实心电极柱。其中，所述半绝缘SiC晶片为经过抛光处理的高纯半绝缘或者钒掺杂半绝缘的SiC晶片；所述半透明或透明电极层是Au(500nm)/Pt(100nm)/Ti(100nm)/Ni(50nm)半透明电极结构或者透明导电薄膜，任选进行相应的退火；所述空心电极柱和实心电极柱优选分别为空心铝电极柱和实心铝电极柱。所述SiC光导开关通过使用特氟隆模具将本发明所述正对电极结构绝缘封装、并进行抽气封装获得。相比现有技术，本发明所述SiC光导开关可以增加开关通光面积，同时保证开关有较高的耐压值。