专利详情

专利名称	基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件
申请号	CN201310060711.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103177971A	公开（授权）日	2013.06.26
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件至基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备NMOS器件的方法和相应的NMOS器件，所述包括：步骤S1、选择<100>向<111>方向偏离6°～10°的硅衬底，并在此硅衬底上生长SiO2层；步骤S2、刻蚀所述SiO2层，以在该SiO2层上形成多个高宽比大于2的沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3、在100～150mBar的生长压力下，采用MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长势垒层、缓冲层和顶层；步骤S4、在顶层上制作源极、漏极和栅极。本发明使界面处的失配位错和反相畴边界截止在SiO2壁上，有效约束了异质结界面缺陷的延伸，并能提高外延层的质量，使得作为NMOS的衬底时得到良好的器件质量。