专利详情

专利名称	样品位错的扫描透射电镜成像方法
申请号	CN201310083610.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103175856A	公开（授权）日	2013.06.26
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	牛牧童;吴东昌;张锦平;黄凯;张燚;董晓鸣;曾雄辉;徐科
主分类号	G01N23/22(2006.01)I	IPC主分类号	G01N23/22(2006.01)I
专利有效期	样品位错的扫描透射电镜成像方法至样品位错的扫描透射电镜成像方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种样品位错的扫描透射电镜成像方法，包括如下步骤：在普通透射电镜模式下，倾转样品，拍摄样品在第一晶向的衍射谱，并标定；倾转样品，使样品的位错先后在双束衍射状态下分别成像；将电镜切换进入扫描透射模式，利用高角环形暗场探测器收集图像，分别得到与上述双束衍射对应的扫描透射电镜位错成像。本发明的优点在于，样品处于不同衍射矢量的“双束衍射”位置时，扫描透射电镜成像对不同类型的位错表现出与传统透射电镜位错“双束”衍射衬度像一致的响应关系，即该方法可用于观察和区分半导体材料中不同类型的位错。