专利详情

专利名称	大尺寸碳化硅单晶生长装置
申请号	CN201110440573.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103173863A	公开（授权）日	2013.06.26
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	刘熙;严成峰;忻隽;孔海宽;肖兵;杨建华;施尔畏
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I
专利有效期	大尺寸碳化硅单晶生长装置至大尺寸碳化硅单晶生长装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于晶体生长技术领域，涉及大尺寸碳化硅单晶生长装置，具体是一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体涉及一种使用PVT技术生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明在坩埚盖上表面开个球面孔，然后将完全贴合整个孔的特制外形的保温材料放进孔内铺平，然后将石墨盖片放入孔内并用力压平。这样使坩埚盖内部有一个夹心保温层，使坩埚盖表面对外综合散热均匀，减小晶体生长的径向温度梯度。