专利详情

专利名称	一种上转换荧光材料及其制备方法
申请号	CN201310088509.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103173221A	公开（授权）日	2013.06.26
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	曾雄辉;史建平;刘宗亮;张育民;王建峰;张锦平;徐科
主分类号	C09K11/80(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/80(2006.01)I
专利有效期	一种上转换荧光材料及其制备方法至一种上转换荧光材料及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供了一种上转换荧光材料，以GaN为基质，Yb3+为敏化剂，其化学组成为Ga1-x-y-zYbyRexSiZN，其中，Re为稀土金属Er、Tm、Ho、Pr、Sm或Dy中的任意一种，0.1%≤x≤2%，x≤y≤5x，0.01%≤z≤0.1%。另外，本发明还提供了一种上转换荧光材料的制备方法。本发明提供的上转换荧光材料，以GaN为基质，有效利用了GaN的热稳定性好、熔点高、易于实现稀土离子掺杂性能，同时，以Yb3+作为敏化剂，提高了上转换的转换效率，使得制备的上转换荧光材料热稳定性好、上转换效率高。