专利详情

专利名称	一种IGBT
申请号	CN201220657534.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203013733U	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司	发明（设计）人	张文亮;朱阳军;卢烁今;赵佳;吴振兴
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	一种IGBT 至一种IGBT	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供了一种IGBT，包括半导体衬底；位于半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构；位于两个沟槽栅结构之间的开口；位于开口底部的平面假栅结构，该平面假栅结构的厚度小于或等于开口的深度。本实用新型所提供的IGBT在两个沟槽栅结构之间设置有一个平面假栅结构，使沟槽栅结构之间的距离变大，从而使单位面积芯片导电沟道的密度降低，提高了器件的抗短路能力；并且，本实用新型中的平面假栅结构并不形成导电沟道，且能够改善沟槽栅处的电场分布，使器件在保证器件具有较强的抗短路能力的基础上，其击穿电压不会减小。