一种半导体器件
- 申请号:CN201220647148.0
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
- 公开(公开)号:CN203013732U
- 公开(公开)日:2013.06.19
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种半导体器件 | ||
申请号 | CN201220647148.0 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN203013732U | 公开(授权)日 | 2013.06.19 |
申请(专利权)人 | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明(设计)人 | 褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;田晓丽 |
主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型提供了一种半导体器件,包括:半导体衬底;阱区,所述阱区形成于所述半导体衬底内;栅极总线,所述栅极总线形成于所述阱区的表面;第一场板,所述第一场板形成于所述半导体衬底表面且覆盖部分阱区;其中,所述第一场板与所述栅极总线电连接。本实用新型提供的半导体器件的第一场板与栅极总线电连接,使第一场板与栅极总线的电位保持一致,那么,当半导体器件承受相同的反向电压时,第一场板与半导体衬底之间的偏压差会有所增大,使得半导体表面的耗尽区进一步展宽,从而使半导体器件的反向耐压能力得到加强。 |
交易流程
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专利 -
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