专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201110409652.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103165622A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L27/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构，该方法包括衬底、绝缘应力塞、半导体基体、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源/漏区嵌于所述半导体基体中，并位于所述栅极堆叠的两侧，所述半导体基体嵌于所述绝缘应力塞中，在沿栅极长度的方向上，所述半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，所述半导体基体与所述衬底相连，所述绝缘应力塞嵌于所述衬底中，在沿栅极长度的方向上，所述绝缘应力塞中间的厚度小于其两侧的厚度。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。利于抑制短沟效应，提高载流子的迁移率，提高器件性能。