专利详情

专利名称	一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构
申请号	CN201310114204.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103166628A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵建中;卜山;刘海南;黑勇;周玉梅
主分类号	H03K19/094(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/094(2006.01)I
专利有效期	一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构至一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构。其中Vinn和Vinp为LVDS驱动器预驱动模块的输出，用来控制LVDS驱动器输出驱动模块的四个开关MOS管。与常规LVDS驱动器电路相比，该电路特点为：通过正反馈分流机制，在不增加任何功耗的基础上，仅仅通过增加四个开关MOS管便可以有效降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载电容即预驱动模块的输出负载电容，降低了LVDS驱动器预驱动部分的功耗，因而提高了整体驱动器的性能。