专利详情

专利名称	正装三结级联太阳电池及其制备方法
申请号	CN201310093060.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103165720A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李奎龙;董建荣;孙玉润;曾徐路;赵勇明;于淑珍;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/0687(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	正装三结级联太阳电池及其制备方法至正装三结级联太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。?