专利详情

专利名称	一种闪存存储器及其制作方法
申请号	CN201110410003.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103165612A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;王晨杰;霍宗亮;张满红;刘璟;谢常青;王永
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	一种闪存存储器及其制作方法至一种闪存存储器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种闪存存储器，存储器的电荷存储层被隔离介质区划分为两个电荷存储区，所述隔离介质区的电导率小于所述两个电荷存储区的电导率，两个电荷存储区的材料不同。相应地，本发明还提供一种闪存存储器的制作方法。本发明的闪存存储器的电荷存储层采用电导率较小的隔离介质区将两个电荷存储区隔离开，能够抑制两个电荷存储区之间的存储电荷串扰，保证了存储器的存储可靠性。另外两个电荷存储区中一个采用金属氮化物纳米晶材料，另一个采用介电常数较高的非纳米晶半导体材料，能够避免编程时源端注入现象对存储器存储可靠性的影响。