专利详情

专利名称	在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法
申请号	CN201310079069.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103165418A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法至在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。