专利详情

专利名称	一种等离子体浸没注入装置
申请号	CN201110412440.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103165376A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李超波;刘杰;屈芙蓉;夏洋
主分类号	H01J37/32(2006.01)I	IPC主分类号	H01J37/32(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I
专利有效期	一种等离子体浸没注入装置至一种等离子体浸没注入装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体涉及一种等离子体浸没注入装置。所述等离子体浸没注入装置，包括真空腔室、注入电极、电源部分和真空系统，所述真空腔室包括预注入腔室和注入腔室，所述预注入腔室和注入腔室之间设有插板阀，所述插板阀控制所述预注入腔室与所述注入腔室连通或隔开，所述注入电极设置在所述注入腔室内。本发明不但能够实现大面积基片的浅结离子注入，而且能大大缩短注入前的真空预抽时间，从而提高注入的效率，还能降低大气中的杂质离子的引入从而减小注入污染，同时还能降低大气中的水蒸气、氧气等成份对注入腔室内壁的腐蚀破坏作用。