专利详情

专利名称	一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置
申请号	CN201110412965.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103165371A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李超波;汪明刚;屈芙蓉;夏洋
主分类号	H01J37/244(2006.01)I	IPC主分类号	H01J37/244(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;G01T1/02(2006.01)I
专利有效期	一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置至一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置，属于半导体制造技术领域。所述装置包括：等离子体浸没注入系统，用于注入离子；离子成分与组分诊断单元，用于确定注入离子的种类、每种离子的电荷数以及每种离子占总离子数的比例；注入离子电流检测单元，用于探测离子所形成的电流；离子电流信号检出单元，用于检出注入离子电流检测单元探测到的电流；信号处理与控制单元，用于根据注入离子的种类、每种离子的电荷数、每种离子占总离子数的比例以及离子电流信号检出单元检出的电流获得离子的注入剂量。本发明能够实现单一种离子注入剂量的精确检测与控制，可直接用于PIII中注入离子剂量检测和控制。