一种等离子体浸没注入电极结构
- 申请号：CN201110412530.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103165377A
- 公开(公开)日：2013.06.19
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种等离子体浸没注入电极结构 | ||
| 申请号 | CN201110412530.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103165377A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘杰;屈芙蓉;李超波;夏洋 |
| 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种等离子体浸没注入电极结构 至一种等离子体浸没注入电极结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及等离子体浸没注入技术领域，具体涉及一种等离子体浸没注入电极结构。所述等离子体浸没注入电极结构，由内到外依次包括注入电极、绝缘层和屏蔽层，所述注入电极与提供偏置电压的偏置电源连接，所述绝缘层用于所述注入电极和所述屏蔽层的隔离和绝缘，所述屏蔽层接地。本发明采用的电极结构能够明显降低注入时的边缘效应，从而增加注入均匀性，同时减小注入时的溅射污染。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言