专利详情

专利名称	提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法
申请号	CN201110421739.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103160807A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	万军;赵柯杰;黄成强;饶志鹏;陈波;李超波;夏洋;吕树玲;石莎莉
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I
专利有效期	提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法至提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，包括：将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳，使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质，所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构；逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。本发明提供的一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，使用原子层沉积设备，利用原子层可精确控制沉积薄膜厚度的优点，在PTFE薄膜表面沉积0.5-3纳米厚度的亲水性羟基基团薄膜，可以显著提高PTFE薄膜的亲水性能和时效性能，该方法操作简单，成本低，改性效果显著。