专利详情

专利名称	掺氮二氧化钛薄膜的制备方法
申请号	CN201110421550.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103160802A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	万军;赵柯杰;黄成强;饶志鹏;陈波;李超波;夏洋;吕树玲;石莎莉
主分类号	C23C16/30(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/30(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I
专利有效期	掺氮二氧化钛薄膜的制备方法至掺氮二氧化钛薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法，通过向反应腔室中先后通入含钛源气体，形成硅钛键；向原子层沉积设备反应腔中通入氮气和氢气，进行等离子体放电，氮气电离后部分氮原子与所述部分钛原子形成共价键，氮原子未成键的电子和电离的氢原子成键；向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源，形成钛氧键；逐层生长含氮原子的二氧化钛薄膜。本发明提供的一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法，利用等离子体原子层沉积设备对二氧化钛薄膜进行氮掺杂。本方法利用原子层沉积单层循环生长的特点和等离子体高化学反应活性的特点，在二氧化钛薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中掺杂氮原子，使得掺杂后的薄膜结构完整，性能显著，有效提高TiO2对可见光的利用率。