专利详情

专利名称	Ba₈Ga₁₆Ge₃₀热电单晶的生长方法
申请号	CN201110415867.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103160910A	公开（授权）日	2013.06.19
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	周燕飞;陈立东;吴汀
主分类号	C30B11/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B11/00(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I
专利有效期	Ba₈Ga₁₆Ge₃₀热电单晶的生长方法至Ba₈Ga₁₆Ge₃₀热电单晶的生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法，包括：按8.24～8.4：16：30的摩尔比配制Ba、Ga和Ge单质，置于石墨坩埚中抽真空封装于真空炉中，1100～1200℃下保温9～12小时，缓慢冷却至室温，得纯相Ba8Ga16Ge30多晶体；以及将纯相Ba8Ga16Ge30多晶体研磨成粉末，置于石墨坩埚、密封、放入坩埚下降炉中，抽真空，缓慢升温至1100～1200℃保温2～3小时使其全部熔融，以0.1～6.0mm/小时的坩埚下降速率调整石墨坩埚位置以使晶体生长的固液界面的温度梯度控制在20～60℃/cm进行单晶生长。采用坩埚下降法，可根据坩埚的形状和尺寸获得多种尺寸和形状的晶体。

交易流程

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2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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