专利详情

专利名称	纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法
申请号	CN201310062552.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103145092A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	裴为华;陈三元;归强;陈弘达
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法至纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括：印章体，其底面具有待加工纳米图形的反相图形；保护层，至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面，其材料为抗腐蚀液的材料；以及金属催化层，至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上，其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。本发明纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法中，在印章体上预先制备好了需要的纳米结构，通过金属催化腐蚀的手段可以直接将图形转移到衬底表面，图形化过程简单，无需附加掩模层，简化了纳米结构制备的工艺流程。