专利详情

专利名称	一种压敏导电膜的制备方法
申请号	CN201310037796.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103151113A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	张聪;张兴业;聂宜文;宋延林
主分类号	H01B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B13/00(2006.01)I;H01B5/16(2006.01)I
专利有效期	一种压敏导电膜的制备方法至一种压敏导电膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种压敏导电膜的制备方法。本发明通过刻蚀硬质基底后，在基底的表面得到具有规整排列的阵列结构，以此表面具有规整排列的阵列结构的基底为模板，选择能够制备出对压力具有敏感作用的薄膜的高分子材料，通过构筑模板制备出具有多孔结构的压敏弹性薄膜，然后在多孔结构的压敏弹性薄膜的孔中填充导电颗粒，由此得到压敏导电膜。本发明制备的压敏导电膜兼有金属膜所具有的高导电性和高分子膜所具有的柔韧性好、透明度高的优点。本发明制备的压敏导电膜可实现在垂直方向上的各向异性导电，提高了导电效率。本发明的制备方法简单快捷，可控性强，制备成本低，便于大规模生产。