专利详情

专利名称	倒装四结太阳电池及其制备方法
申请号	CN201310093058.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103151413A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/0687(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	倒装四结太阳电池及其制备方法至倒装四结太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。