专利详情

专利名称	一种非对称自屏蔽开放式磁共振成像超导磁体
申请号	CN201310030280.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103151136A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	倪志鹏;王秋良;严陆光
主分类号	H01F6/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01F6/00(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I
专利有效期	一种非对称自屏蔽开放式磁共振成像超导磁体至一种非对称自屏蔽开放式磁共振成像超导磁体	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种非对称自屏蔽开放式磁共振成像超导磁体，由超导主线圈、超导屏蔽线圈、超导轴向匀场线圈(4)和超导径向匀场线圈(5)组成。所有线圈非对称地布置在预布置线圈区域内。超导轴向匀场线圈(4)和超导径向匀场线圈(5)分别安装两个圆柱形骨架上，两个圆柱形骨架的中平面与球形成像区域(6)的中心点(9)重合；超导主线圈和超导屏蔽线圈在轴向方向偏离超导磁体中心距离为10cm处，直径为50cm的球形成像区域(6)内产生磁场峰峰值不均匀度为10ppm的高均匀度磁场分布，超导轴向匀场线圈(4)和超导径向匀场线圈(5)分别产生矫正磁场使得球形成像区域的磁场峰峰值不均匀提高至优于1ppm。