专利详情

专利名称	一种氧化铬-石墨烯纳米片的制备方法及其制得的氧化铬-石墨烯纳米片材料
申请号	CN201310043761.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103151501A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院等离子体物理研究所	发明（设计）人	李家星;赵桂霞;王祥科
主分类号	H01M4/36(2006.01)I	IPC主分类号	H01M4/36(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种氧化铬-石墨烯纳米片的制备方法及其制得的氧化铬-石墨烯纳米片材料至一种氧化铬-石墨烯纳米片的制备方法及其制得的氧化铬-石墨烯纳米片材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明的目的是提供一种氧化铬-石墨烯纳米片材料的制备方法，主要是石墨烯为模板，铬酸盐为铬源，在水热条件下铬酸盐在石墨烯原位通过氧化碳原子得到水合氧化铬-石墨烯纳米片，然后进行热焙烧处理得到晶化的氧化铬-石墨烯纳米片。本方法生产工艺简单，绿色环保，易于工业化大规模生产。该法制备的氧化铬-石墨烯纳米片纯度高，比表面积大。可用于催化合成和功能材料等领域，特别是锂电材料领域具有广阔的应用前景。