专利详情

专利名称	薄膜图形化方法
申请号	CN201310103325.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103151245A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	孙秋娟;王浩敏;左青云;康晓旭;谢红;邓联文;谢晓明;江绵恒
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	薄膜图形化方法至薄膜图形化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种薄膜图形化方法，该方法至少包括以下步骤：提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；进行光学曝光，将预设图形转移至该光刻胶上；在步骤2）之后获得的结构上沉积金属层；然后去除光刻胶并剥离，获得所需金属图形结构；在上述金属图形结构表面沉积薄膜材料，形成薄膜；最后去除剩余金属层得到图形化薄膜。本发明利用通常的图形化技术，实现金属的图形化，再以金属为掩膜板，在衬底上直接沉积高温生长的薄膜材料，该发明即沿用了传统的图形化技术，又克服了光刻胶在高温下无法做掩膜板使用的弊端；与离子束刻蚀方法相比，本发明工艺简单，易于操作，且花费较低。