专利详情

专利名称	三结太阳电池及其制备方法
申请号	CN201310114714.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103151415A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/0687(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	三结太阳电池及其制备方法至三结太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种三结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了一种三结太阳电池的制备方法，包括步骤：1）在GaAs衬底上依次生长InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及欧姆接触层；2）分别在所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，采用正装生长方法生长、制备工艺简单，提高了电池效率。