专利详情

专利名称	低功耗半导体存储器的制作方法
申请号	CN201310062342.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103151315A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;钟汇才;朱慧珑
主分类号	H01L21/8247(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	低功耗半导体存储器的制作方法至低功耗半导体存储器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种低功耗半导体存储器的制作方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一掺杂层、第二掺杂层以及介电保护层；部分刻蚀介电保护层、第二掺杂层与第一掺杂层，第二掺杂层与第一掺杂层形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成间隙壁结构，在所述栅极结构两侧的有源区中形成源区与漏区；在所述半导体衬底上形成第一层间介电层，刻蚀所述第一层间介电层；图形化所述介电保护层；在所述栅极结构的第一开口与第二开口中依次填充介电隔离材料与栅极导电材料，在所述第一开口中形成第一控制电极，在所述第二开口中形成第二控制电极。本发明的低功耗半导体存储器的制作方法，降低了存储器的最小开启电压，提高了器件的开关速度。