专利详情

专利名称	一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法
申请号	CN201310068591.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103144023A	公开（授权）日	2013.06.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	汪宁;苏永波;金智
主分类号	B24B37/04(2012.01)I	IPC主分类号	B24B37/04(2012.01)I
专利有效期	一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法至一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法，该方法包括：将InP衬底与UV粘膜键合，形成UV键合InP衬底；使用真空吸盘吸附该UV键合InP衬底，将该UV键合InP衬底需要CMP的表面垂直向下侵入CMP抛光浆液中进行CMP抛光；清洗抛光后的该UV键合InP衬底；以及将该UV键合InP衬底放入UV去胶机进行UV照射，去除UV粘膜。本发明采用了UV粘胶固定InP材料，采用改进的纳米聚四氟乙烯凝胶进行CMP抛光，采用N2喷射进行CMP搅拌，制作出的InP低厚度高精密抛光镜面效果，大大降低了传统CMP工艺的损伤效果。