一种制备薄膜材料的方法
- 申请号：CN200910090350.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN101989632A
- 公开(公开)日：2011.03.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备薄膜材料的方法 | ||
| 申请号 | CN200910090350.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101989632A | 公开（授权）日 | 2011.03.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 俞育德;李运涛;余金中;陈诺夫;俞海龙 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备薄膜材料的方法 至一种制备薄膜材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备薄膜材料的方法，包括：步骤1：将制备薄膜的材料粉末置于粉仓中；步骤2：将带有电极极性的感光鼓置于粉仓上，通过静电的吸附作用将材料粉末吸附于感光鼓上；步骤3：将吸附有材料粉末的感光鼓置于一材料基底的上方；步骤4：感光鼓放电，使粉末均匀地分布于材料基底的表面；步骤5：对材料基底表面的材料粉末进行结晶化处理，在材料基底的表面形成薄膜材料。利用本发明，工艺成熟、制作成本低，比现行的方法至少低一个数量级。另外，本发明借鉴了静电压印技术，技术成熟度高。 | ||
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