专利详情

专利名称	硅片打孔系统及方法
申请号	CN201010226293.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102330089A	公开（授权）日	2012.01.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王磊;景玉鹏
主分类号	C23F1/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23F1/08(2006.01)I;C23F1/10(2006.01)I
专利有效期	硅片打孔系统及方法至硅片打孔系统及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅片打孔系统包括：提供氢氟酸的氢氟酸储罐、提供臭氧的臭氧发生器、提供CO2的二氧化碳气瓶，用于形成所述氢氟酸、所述臭氧及所述CO2的混合流体且使所述混合流体中的CO2达到超临界态的控制装置及用于对硅片打孔的反应腔室；所述氢氟酸储罐、所述CO2气瓶及所述臭氧发生器的出口与所述控制装置的入口连接，所述控制装置的出口与所述反应腔室的入口连接。本发明还公开了一种打孔方法包括：形成含超临界态CO2、氢氟酸及臭氧的混合流体；及使用所述混合流体对硅片进行打孔处理。根据本发明的硅片打孔系统及方法，在硅片打孔时，可降低对硅片的损伤。