专利详情

专利名称	一种具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材的制备方法
申请号	CN201110242247.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102950273A	公开（授权）日	2013.03.06
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	赵九洲;江鸿翔
主分类号	B22D27/02(2006.01)I	IPC主分类号	B22D27/02(2006.01)I;B22C3/00(2006.01)I
专利有效期	一种具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材的制备方法至一种具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于合金线材制备技术，具体地说是一种具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材的制备方法。采用直流电场作用下的连续凝固技术，凝固速度在5-50mm/s，通过选取偏晶型合金和绝缘材料(如金属氧化物陶瓷、氮化硼等)为坩埚(或坩埚、结晶器内壁的涂层)材料，采用直流电场作用下的连续凝固技术，制备具有弥散相面表层的偏晶合金复合线材。本发明通过选取适当的偏晶型合金(如Al-Pb、Al-Bi、Cu-Co系合金等)及绝缘材料(如金属氧化物陶瓷、氮化硼等)为坩埚(或坩埚、结晶器内壁的涂层)材料，在直流电场作用下进行连续凝固，使偏晶合金液-液相变过程中的弥散相液滴向试样表面迁移并形成弥散相层，制备具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材，满足工业需求。