专利详情

专利名称	阱区的形成方法和半导体基底
申请号	CN201110144978.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102810501A	公开（授权）日	2012.12.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/74(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	阱区的形成方法和半导体基底至阱区的形成方法和半导体基底	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体技术领域的阱区的形成方法和半导体基底，一种所述方法包括：在半导体衬底上形成隔离区，以隔离有源区；选定至少一个所述有源区，在选定的所述有源区内形成第一阱区；以掩模覆盖选定的所述有源区，刻蚀剩余的所述有源区，以形成凹槽；外延生长半导体材料，以填充所述凹槽。另一种所述方法包括：在半导体衬底内形成隔离区，以隔离有源区；在所述有源区内形成阱区；刻蚀所述有源区，以形成凹槽，所述凹槽的深度小于或等于所述阱区的深度；外延生长半导体材料，以填充所述凹槽。所述半导体基底，包括：材料不同的半导体衬底和修正半导体区。本发明去除了穿过隔离结构进行横向扩散的掺杂离子，保证了半导体器件的阈值电压稳定。