半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201010299028.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102437183A
- 公开(公开)日：2012.05.02
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010299028.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102437183A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种半导体器件，提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；浅沟槽隔离，嵌于半导体衬底中，且形成至少一个半导体开口区；沟道区，位于半导体开口区内；栅堆叠，包括栅介质层和栅极导体层，位于沟道区上方；源/漏区，位于沟道区的两侧，源/漏区包括相对分布于栅堆叠的两侧、且与浅沟槽隔离邻接的第一晶种层；其中，浅沟槽隔离的上表面高于或足够接近于源/漏区的上表面。该半导体器件及其制造方法可增强沟道区应力从而提高器件性能。 | ||
交易流程
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专利 -
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