专利详情

专利名称	一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法
申请号	CN201110310032.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102502788A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院过程工程研究所	发明（设计）人	陈运法;焦柯嘉;武晓峰
主分类号	C01G15/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01G15/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法至一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种铜铟硫三元半导体纳米颗粒的简单可控的制备方法，铜铟硫三元半导体纳米粒子的制备方法。将铜盐和铟盐溶于一定量水中，加入适量巯基酸，调节pH到一定范围，然后加入硫源，搅拌均匀后将所得溶液转入水热反应釜中，在一定温度进行水热反应；将得到的胶体溶液冷却到室温，通过离心沉降得到铜铟硫半导体纳米粒子。本发明得到的铜铟硫半导体纳米粒子分为黄铜矿相和纤锌矿相两种，其中黄铜矿颗粒为类球状，颗粒大小为10～30nm，纤锌矿相为不规则形状和六方片状结构，其中六方片状结构大小为100～200nm。