专利详情

专利名称	半导体器件及半导体存储装置
申请号	CN201110114256.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102768850A	公开（授权）日	2012.11.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;童小东;钟汇才;朱慧珑
主分类号	G11C11/4063(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/4063(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及半导体存储装置至半导体器件及半导体存储装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种半导体器件及半导体存储装置。该半导体器件可以用作存储单元，且包括：依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加大于穿通电压VBO的正向偏置，在该器件中存储第一数据状态。也可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加处于该半导体器件的反向击穿区的反向偏置，在该器件中存储第二数据状态。因此，可以有效地将该半导体器件用于存储数据。该半导体存储装置包括由上述半导体器件构成的存储单元的阵列。