专利详情

专利名称	一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法
申请号	CN201210299142.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102931054A	公开（授权）日	2013.02.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司	发明（设计）人	汤益丹;刘可安;申华军;白云;李博;王弋宇;刘新宇;李诚瞻;史晶晶
主分类号	H01L21/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/04(2006.01)I
专利有效期	一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法至一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法，针对TiAl基金属化系统，该方法采用两步退火方式实现P型SiC材料低温欧姆接触，第一步退火为预退火，第二步退火为高温快速退火，其中：第一步预退火是通过预退火方式形成Al的合金体系，促进TiAl基欧姆接触金属与P型SiC的界面反应，形成界面过渡层；第二步高温快速退火是利用预退火过程中形成的界面反应催化剂，在低于常规快速退火温度下，实现Ti、Al与SiC的反应，形成低势垒、高载流子密度的碳化物或者硅化物过渡层。本发明提出的两步退火方法，可有效降低合金退火温度，也可以适用于其它半导体材料，尤其是宽禁带材料的欧姆接触领域。