一种二维压电声子晶体射频声波导
- 申请号：CN201220347040.X
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院声学研究所
- 公开(公开)号：CN202652159U
- 公开(公开)日：2013.01.02
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种二维压电声子晶体射频声波导 | ||
| 申请号 | CN201220347040.X | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202652159U | 公开（授权）日 | 2013.01.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 李红浪;柯亚兵;程利娜;何世堂 |
| 主分类号 | H03H9/25(2006.01)I | IPC主分类号 | H03H9/25(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种二维压电声子晶体射频声波导 至一种二维压电声子晶体射频声波导 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种二维压电声子晶体射频声波导，该二维压电声子晶体射频声波导包括设置在压电基片上的二维金属点阵，所述二维金属点阵的y方向晶格常数与x方向晶格常数成比例，使得x方向上的通带对应于y方向上的阻带。所述二维金属点阵的y方向晶格常数与x方向晶格常数成比例具体为所述y方向晶格常数是x方向晶格常数的1.5～4.5倍。本实用新型能够使射频段的声表面波在压电声子晶体中x方向上实现高效传播，在y方向上实现能量有效反射，从而实现射频段声波导功能。 | ||
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