专利详情

专利名称	一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
申请号	CN201110221375.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102915917A	公开（授权）日	2013.02.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;李永亮;许高博
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法至一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO2-1，接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质。然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-2，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-2，腐蚀未被图形-2覆盖的第二种金属栅和高K栅介质，露出第一金属栅上的硬掩膜-1。腐蚀去净硬掩膜-1和硬掩膜-2，淀积多晶硅和硬掩膜-3后进行栅图形光刻和刻蚀，形成叠层栅结构，淀积介质膜并刻蚀形成侧墙-1。然后按常规工艺形成源漏及其延伸区，硅化后完成接触和金属化。