专利详情

专利名称	低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用
申请号	CN201210516363.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102976753A	公开（授权）日	2013.03.20
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李玉臣;董显林;姚烈
主分类号	C04B35/499(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/499(2006.01)I;C04B35/472(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用至低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用，所述低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料的化学组成为：xPb1-m-n(Lam·Sr)Nb2O6+y(y1PbTiO3+y2BiScO3)+pwt%CeO2+qwt%SiO2+uwt%Ta2O5，式中，0.001≤x≤1，0.001≤y≤1，x+y=1，0.01≤m+n≤0.5，0.001≤p≤2，0.001≤q≤2，0.001≤u≤2，0.6≤y1≤0.7，0.3≤y2≤0.4，y1+y2=1。本发明材料具有谐振频率单一，灵敏度高，接收信号幅度宽，稳定性好的特点，可以应用于制备骨密度仪超声换能器。