一种半导体结构
- 申请号：CN201190000066.0
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202651118U
- 公开(公开)日：2013.01.02
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体结构 | ||
| 申请号 | CN201190000066.0 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202651118U | 公开（授权）日 | 2013.01.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面，并且所述半导体衬底为{112}Si衬底。所述半导体鳍片具有良好的表面质量和减少的晶体缺陷，可用于制造FinFET。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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