应力隔离沟槽半导体器件
- 申请号:CN201190000098.0
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN202651086U
- 公开(公开)日:2013.01.02
- 法律状态:
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 应力隔离沟槽半导体器件 | ||
申请号 | CN201190000098.0 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN202651086U | 公开(授权)日 | 2013.01.02 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
专利有效期 | 应力隔离沟槽半导体器件 至应力隔离沟槽半导体器件 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 提供了一种应力隔离沟槽半导体器件,包括硅基底(10)(S11);在硅基底上形成第一沟槽(13)和第二沟槽(14),第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直(S12);在第一沟槽中形成第一介质层,在第二沟槽中形成第二介质层,第一介质层为张应力介质层(16)(S13);在第一沟槽和第二沟槽包围的硅基底上形成栅堆叠(17),栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于第一沟槽的延伸方向,其中硅基底的晶面指数为{100},第一沟槽沿晶向<110>延伸(S14)。提高了器件的响应速度,改善了器件性能。 |
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接,价格透明
2、平台验证,实名审核
3、合同监控,代办手续
4、专员跟进,交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言