一种半导体器件
- 申请号:CN201190000065.6
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN202651070U
- 公开(公开)日:2013.01.02
- 法律状态:
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 一种半导体器件 | ||
申请号 | CN201190000065.6 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN202651070U | 公开(授权)日 | 2013.01.02 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件,包括:半导体衬底,其上依次形成有高k介质层和图形化的栅极;侧墙,其形成于所述栅极周围,其中,所述高k介质层具有被氮化的部分,其位于所述半导体衬底上未被所述栅极覆盖的区域,其中所述氮化的高k介质层还存在于所述半导体衬底与所述侧墙之间。本实用新型将半导体衬底上未被其上的栅极或者侧墙覆盖的高k介质层氮化,在所述高k介质层表面形成氧扩散阻挡层,抑制了氧从水平方向扩散进入栅极下方的高k介质层中,使其不受扩散进入的氧的侵蚀,优化了半导体器件的工作性能。 |
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接,价格透明
2、平台验证,实名审核
3、合同监控,代办手续
4、专员跟进,交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言