专利详情

专利名称	一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
申请号	CN201210533291.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102969244A	公开（授权）日	2013.03.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;夏超;王中健;曹铎;郑理;贾婷婷;俞跃辉
主分类号	H01L21/331(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I
专利有效期	一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法至一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向所述漂移区进行N型离子注入；退火，在该漂移区形成离子浓度呈线性增加的N型漂移区；提供一设有若干第二窗口的第二掩膜版；自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入，P型柱区离漏极区有一定距离，退火后形成间隔的P柱和N柱；最后形成沟道、源区、漏区和栅区域。本发明使N柱的浓度从源端到漏端逐渐增加，消除漂移区剩余电荷，由于P柱离漏极有一定的距离，因此降低了漂移区电荷不平衡对器件性能的影响，提高可靠性。