专利详情

专利名称	抗辐照加固的SOI结构及其制作方法
申请号	CN201110418323.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102437087A	公开（授权）日	2012.05.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吕荫学;毕津顺;罗家俊;韩郑生;叶甜春
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	抗辐照加固的SOI结构及其制作方法至抗辐照加固的SOI结构及其制作方法	法律状态	公开
说明书摘要	抗辐照加固的SOI结构及其制作方法。一种SOI结构抗辐照的制作方法，该方法包括以下步骤：提供两个晶片，在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层后；对所述绝缘氧化层进行辐照质子、中子等注入，在绝缘氧化层中引入位移损伤；将两个所述晶片通过所述绝缘氧化层进行键合；对键合后的两个晶片之一进行减薄，形成SOI结构。本发明在利用键合技术制备SOI的过程中，通过向埋氧层中注入质子、中子等引入位移损伤形成复合中心的方法来提高SOI器件的抗辐照性能，同时还避免了对顶层硅层所造成的损伤，不会影响器件的性能。