专利详情

专利名称	一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
申请号	CN201010599082.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102104079A	公开（授权）日	2011.06.22
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	孟祥敏;黄兴
主分类号	H01L31/0336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法至一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法，属于异质结构纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出一维ZnO/ZnS核壳结构的纳米阵列；通过醋酸除去ZnO核，得到单晶ZnS纳米管阵列。本发明制备出的一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列，形貌规整，排列整齐，ZnO完全被ZnS包覆，其中ZnO和ZnS是外延关系，且ZnS是单晶外延。ZnO和ZnS的这种复合结构，由于存在电荷的转移效应，在光催化、太阳能电池以及光电开关等纳米光电领域中具有广泛的应用前景和研究价值。?