专利详情

专利名称	一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法
申请号	CN200910201332.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102104063A	公开（授权）日	2011.06.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;罗杰馨;伍青青;周建华;肖德元;王曦
主分类号	H01L29/732(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/732(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法至一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区，有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区，集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层，基区靠近顶层硅膜表面；基区上形成有发射极和基极，发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术，不仅提高晶体管性能，而且可以减小有源区面积提高集成度；此外本发明采用侧氧隔离工艺，提高SOI?BJT与SOI?CMOS的兼容性，使SOI?BiCMOS工艺变得简单，从而降低成本。