专利详情

专利名称	零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构
申请号	CN201220464240.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202870146U	公开（授权）日	2013.04.10
申请（专利权）人	中国科学院等离子体物理研究所	发明（设计）人	王林森;武旭
主分类号	G01R19/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R19/00(2006.01)I
专利有效期	零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构至零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构，包括有相同的上安装板、下安装板，所述的上安装板、下安装板的中间分别开有一个正方形孔洞作为磁芯安装孔，磁芯安装孔的尺寸略大于磁芯截面，上安装板的下表面上设有数个圆形定位凸台，下安装板的上表面上设有数个与圆形定位凸台配合的圆形定位凹坑，上安装板、下安装板的前端和后端分别设有两个挂耳，上安装板上的挂耳与下安装板上的挂耳位置相同。本实用新型上下安装板的凹凸咬合，磁芯紧密接触，不会产生气隙，较好的解决了大电流传感器磁芯由于尺寸较大，安装过程中上下连接磁芯之间往往存在较大的气隙和位移的问题，避免了磁芯在连接处产生加大的漏磁。