专利详情

专利名称	一种氟化镁钡单晶的生长方法
申请号	CN201110434476.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102534774A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	武安华;徐军;苏良碧;李红军;钱国兴;姜林文;钱小波;王静雅
主分类号	C30B29/12(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	一种氟化镁钡单晶的生长方法至一种氟化镁钡单晶的生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种氟化镁钡单晶的生长方法，所述生长方法包括如下步骤：首先将BaF2和MgF2的混合粉体或BaMgF4粉体进行氟化处理；然后将氟化处理后的粉体和籽晶放入铂坩埚中，气密坩埚；再将铂坩埚置入单晶炉中，采用坩埚下降法生长氟化镁钡单晶。本发明所述的氟化镁钡单晶的生长方法具有如下优点：温场稳定，生长过程中无需通入CF4气体；生长的BaMgF4单晶完整性好，无宏观及微观缺陷；成品率高，晶体尺寸和外形容易控制；晶体不易开裂；另外，该方法工艺设备简单，操作方便，能耗明显降低，有利于实现工业化生产。