专利详情

专利名称	镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法
申请号	CN201110202663.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102329619A	公开（授权）日	2012.01.25
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	张科;梁广飞;王阳;吴谊群
主分类号	C09K11/88(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/88(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期	镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法至镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法，该相变材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1~0.3Ni2+。该材料通过磁控溅射方法，将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅到K9玻璃基片上得到非晶态样，而后在纳秒激光的作用下得到晶态样。在980nm激光激发下，晶态样有位于1150nm附近的荧光，非晶态样无荧光，分别代表信息存储的两个状态。本发明荧光相变信息存储材料与传统相变材料的制备过程完全兼容，制备方法简单可控。本发明结合传统相变材料的优点和Ni2+在基质不同相态下荧光效应的巨大差异，可以大大增加相变光存储中两态的对比度。