专利详情

专利名称	一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法
申请号	CN201110375079.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102427034A	公开（授权）日	2012.04.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇
主分类号	H01L21/304(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/304(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I
专利有效期	一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法至一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。本发明提供的对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，避免了引入大尺寸的划伤，降低了GaAs表面损伤，粗糙度Ra达到很好的程度。