专利详情

专利名称	一种检测存储单元漏电流的方法及系统
申请号	CN201110391548.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102426858A	公开（授权）日	2012.04.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋
主分类号	G11C29/02(2006.01)I	IPC主分类号	G11C29/02(2006.01)I;G11C8/08(2006.01)I
专利有效期	一种检测存储单元漏电流的方法及系统至一种检测存储单元漏电流的方法及系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种检测存储单元漏电流的方法，应用于至少包括依次相邻的且位于存储列阵同一列的第一、二、第三存储单元，上述存储单元共用同一组字线；包括：同时选通上述存储单元之间的位线以及第一存储单元的源极对应的位线；测试电路测量得到第二电压值；通过仿真获得所述第一、第二存储单元的沟道电阻；通过仿真获得读取位线的电平对应的第一电压值；通过第一电压值与第二电压值的电压差以及第二存储单元的沟道电阻计算得到流经所述第二存储单元的漏电流即第一存储单元被读取时的漏电流。本发明提供一种检测存储单元漏电流的方法和系统，可以实现存储单元漏电流的有效检测。